由于同成分铌酸锂晶体(CLN)内的铌锂比为48.6/51.4,偏离化学计量比,晶体内存在Li空位和Nb占Li位的本征缺陷,是不完美晶体。我们采用富锂的助溶剂提拉法生长近化学计量比铌酸锂,为了进一步提高SLN的抗激光损伤阈值一般掺入0.5-1.5mol%MgO.
较低的极化反转电压 (1/5 of CLN)
高的热导率(相比CLN&MgCLN高出20-50%)
更高的抗激光损伤阈值
周期性极化器件
THz 器件