PPLN掺镁铌酸锂晶体及基片

5mol% MgO:LiNbO3晶体

Unicrystal有多位一直从事LN晶体研究的专家团队，已实验并比较了几十种配方、各种温场和工艺条件对晶体生长、晶体性能指标、缺陷浓度的影响，从中挑出适合PPLN、电光Q开关应用的技术方案，现在我们已能批量生产各种轴向5mol%掺杂MgO:CLN 晶体及抛光片.

相比纯铌酸锂具有如下优势：

• 高损伤阈值,~10MW/cm2 @532nm

• 低的极化反转电压:~8000V/mm,(21000v/mm for CLN), 能实现更厚的PPLN

应用领域:

• 电光Q开关

• 双折射相位匹配

• 周期性极化芯片

性能表征:

我们对产品的质量进行如下控制：

• 着色

晶体着色会提高材料的光吸收，这是不利的。着色程度一般跟原料纯度及生长工艺有关，质次产品加工的半成品或成品片外观呈黄色或棕色。我们选用过渡元素含量小于1ppm的高纯Nb2O5，Li2CO3，MgO粉作原料，低污染热场设计，合理长晶及热处理等工艺,确保了晶体着色很浅。我们生产的晶体目视呈浅粉色。

• 吸收边

在一定条件下，增加掺镁浓度，紫外吸收边会紫移。我们向客户提供达到掺镁阈值浓度的5.0mol%MgO:CLN晶体

• OH- 吸收峰（未达到阈值浓度吸收峰波数为3478/cm,超过阈值浓度吸收峰为3535/cm)

• 树根状条纹

晶体两端抛光，10mm*10mm透明格子置于端面，晶体置于平行背景光源上，观察晶体内部条纹，计算条纹占据格数小于5个。

• ≥100mw绿色激光器下观察，有效部位无散射

• 单畴化

Unicrystal知道MgO:CLN晶体针状及环状电畴产生的机理，并选用合适的配方、晶体生长和极化工艺，确保出厂的MgO:CLN 晶体已高度单畴化。

• 折射率

CLN晶体被掺入 MgO后，寻常光及非寻常光折射率变得更低，用棱镜耦合仪测试得到下表数据

由于生长分凝现象，同一根晶体头尾浓度不一样，尾部的折射率也会随结晶率发生改变，如下图。为了保证产品批次一致性，我们控制结晶率小于20%。